美光开始批量生产全球最快第9代NAND闪存速度高达3.6GB/s

[新闻稿]：美光科技公司今天宣布，它正在推出第九代(G9)TLCNAND固态硬盘，这是业内首个实现这一里程碑的产品。美光G9NAND具有业界最高的3.6GB/s传输速度，为读写数据提供无与伦比的带宽。从个人设备和边缘服务器到企业和云数据中心，新的NAND可为人工智能(AI)和其他数据密集型用例提供一流的性能。

美光G9NAND利用业界最快的NANDI/O速度来满足以数据为中心的工作负载的高吞吐量需求，数据传输速度比目前SSD中提供的任何NAND快50%。与目前可用的竞争性NAND解决方案相比，美光G9NAND还可提供高达99%的每写入带宽和88%的每读取带宽。这些每优势转化为SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能效提升。

与上一代NAND一样，美光G9NAND采用紧凑的11.5毫米x13.5毫米封装，占用空间比竞争产品少28%，是目前最小的度NAND。更小的占用空间带来更高的密度，为各种用例提供​​更多设计选择。

美光G9NAND助力美光2650SSD实现领先性能

Micron2650NVMeSSD集成了尖端的G9TLCNAND，为日常计算提供一流的用户体验，在PCMark10测试中超越竞争对手。

美光公司副总裁兼客户端存储总经理PrasadAlluri表示：“美光2650SSD接近PCIeGen4的理论饱和水平，它使用我们的全新G9NAND来突破TLC客户端SSD所能实现的价值界限。与竞争解决方案相比，这款硬盘的PCMark10基准测试得分高出38%，将重新定义此类SSD的用户体验。”

Micron2650NVMeSSD具有一流的可靠性，并具有性能增强的加速缓存功能，可实现更快的写入性能，这得益于其动态SLC缓存。Micron2650NVMeSSD为PCIeGen4提供了真实的饱和性能，连续读取速度高达7,000MB/s。

与竞争对手相比，它提供了一流的性能，顺序读取性能提高了70%，顺序写入性能提高了103%，随机读取性能提高了156%，随机写入性能提高了85%。这些令人印象深刻的数据凸显了美光致力于突破技术界限并为客户提供无与伦比的性能的承诺。

G9NAND已在面向客户端OEM的Micron2650SSD中推出，还以组件形式和面向消费者的CrucialSSD的形式获得客户认可。访问MicronG9NAND和Micron2650客户端SSD以了解更多详情。

[记者笔记]：美光发布新的TLCNAND标准，以及2650NVMeSSD的首次亮相，表明该公司在主导这一领域方面是认真的。276层第9代NAND是业内最快的，这使得美光的2650NVMeSSD成为市场上最强大的选择之一，拥有令人印象深刻的速度以及其他多种功能，旨在与SK海力士等公司展开激烈竞争。

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