SKHynix通过混合键合制备400层NAND321层NAND将于2025年上半年出货

SKHynix的目标是在2025年底开始量产400层NAND，而321层NAND则将于2025年上半年投入生产。

通过400层NAND实现更高的存储容量是SKHynix的新目标，该公司计划在2025年上半年实现321层NAND之后，于2025年底投入生产

对更高存储容量的需求永无止境，SKHynix似乎正致力于通过其新计划打破其记录，为未来的存储驱动器准备400层NAND。Etnews报道称，该公司希望在2025年底前开始批量生产这种400层NAND，并希望在2026年上半年过渡到全面生产。

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然而，创建这种高层NAND的过程非常复杂，需要多种键合技术。SKHynix已经开始审查用于键合的新材料，并研究各种技术，这些技术可以通过抛光、蚀刻、沉积和布线等方法连接不同的晶圆。

SKHynix混合键合

整个过程需要几个步骤，例如电池结构设计(侧重于每层电池的排列)和堆叠。然后通过清洁和涂上薄层SiO2和Si3N4来准备硅片。然而，当层通过大量重复逐层堆叠时，该过程需要小心执行。

SK海力士已经实现了321层NAND，并于2023年8月进行了展示，并计划于2025年上半年开始量产。这款产品拥有400层，将成为该公司首款也是最先进的NAND产品。尽管如此，SK海力士并不是这场游戏中唯一的玩家。三星和美光等内存巨头也在增加其NAND的层数。美光最近推出了一款具有276层的密集NAND，而三星已开始量产具有290层的单元第9代垂直NAND。

在FMS2024上，SK海力士将展示下一代AI存储器产品样品，例如预计于第三季度量产的12层HBM3E和计划于明年上半年开始出货的321高NAND。

三星仍将目标设得更高，并期待到2030年生产超过1000层的NAND。话虽如此，日本公司Kioxia目前的3DNAND层数已达到218层，并计划先于三星实现1000层。

SKHynix实现400层的方法是通过外围设备下置单元方法将单元堆叠在外围设备之上。控制存储单元的外围电路位于底部，而存储单元则堆叠在顶部。这种方法确实存在损坏外围电路的问题，因为增加层数会产生更多热量和压力。

因此，该公司计划实施混合键合方法，即在单独的晶圆上制造存储单元和外围电路。然后将晶圆键合在一起以降低损坏风险。通过高层数，NAND可以在不增加尺寸的情况下存储更多数据。这不仅可以为紧凑型系统节省空间并增加存储容量，还可以带来更实惠的存储解决方案。

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