优于NAND开发出快速经济的存储器

它应该更高效，更简单。它还使用既定的结构，而新开发的闪存可以显著提高写入性能。但仍有一个问题。

铪的铁电特性与其他元素的结合使其成为存储卡和固态硬盘(SSD)的有前途的材料。

例如，与NAND闪存不同，半导体不是通过计数电脉冲来寻址单个段，而是在施加电场时改变其极化。这一原理使访问只读存储器的不同区域的速度更快，因此效率更高。

之前只是施加电压的带宽太低。通过在所用的氧化铪中添加铝，这个可能的电压窗口可以从2伏扩展到10伏。

这样就可以构建四级单元(QLC)，每个晶体管存储4位数据。这意味着一个单元可以存储总共16种不同的状态。有了这种架构，最小的上就可以存储几TB的数据。在合适的SSD上，最终存储的数据会更多。

除了可以更快地访问这些信息之外，所需电压也比NAND闪存低。系统使用上述10伏电压，而不是之前所需的18伏电压。这也进一步降低了写入和读取所需的功率。

初步耐久性测试表明实际开发已经取得了多大的进展。根据这项研究，单个单元已经完成了一百万次访问。这项研究由三星共同资助并非巧合。

只剩下一个问题，那就是所使用的铪。尽管铪铝氧化物的电性能很有前景，但这种元素却很稀有。虽然它比金更常见，但它实际上并不是纯矿物。

相反，它在其他矿物中含量极少，因此极难开采。毕竟，每个单元只需要不到25纳米厚的一层。如果到那时还找不到替代材料，这种速度极快、体积大、效率极高的内存也可能变得相当昂贵。

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