【什么是巨磁电阻效应】巨磁电阻效应（Giant Magnetoresistance, 简称 GMR）是一种在特定材料中，当外加磁场改变时，其电阻值显著变化的现象。这种效应最早在1988年由阿尔贝·费尔（Albert Fert）和彼得·格林贝格尔（Peter Grünberg）分别独立发现，并因此获得了2007年的诺贝尔物理学奖。
GMR 效应主要发生在由铁磁层与非磁性金属层交替组成的多层薄膜结构中。当相邻的铁磁层磁化方向一致时，电子的散射减少，电阻较低；而当磁化方向相反时，电子散射增加，电阻升高。这种电阻随磁场变化的特性被广泛应用于高灵敏度磁传感器和硬盘读取头等设备中。
巨磁电阻效应总结
| 项目 | 内容 |
| 全称 | 巨磁电阻效应（Giant Magnetoresistance） |
| 发现时间 | 1988年 |
| 发现者 | 阿尔贝·费尔（Albert Fert）和彼得·格林贝格尔（Peter Grünberg） |
| 获奖情况 | 2007年诺贝尔物理学奖 |
| 适用材料 | 铁磁层与非磁性金属层组成的多层薄膜结构 |
| 基本原理 | 电子自旋方向与磁化方向一致时，电阻降低；方向不同时，电阻升高 |
| 应用领域 | 硬盘读取头、磁传感器、磁存储器等 |
| 特点 | 电阻变化幅度大，灵敏度高，适合微小磁场检测 |
通过巨磁电阻效应，科学家们能够更精确地探测微弱的磁场变化，这为现代信息技术的发展提供了重要的技术支持。该效应不仅推动了磁存储技术的进步，也促进了新型磁传感器的研发，具有广泛的应用前景。