英飞凌继续通过650 V器件扩展其全面的碳化硅产品组合

英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)继续通过650 V器件扩展其全面的碳化硅(SiC)产品组合。英飞凌通过新推出的CoolSiC MOSFET解决了在广泛应用中对能效，功率密度和鲁棒性不断增长的需求。其中包括服务器，电信和工业SMPS，太阳能系统，能量存储和电池组，UPS，电动机驱动器以及EV充电。

“随着此次发布，英飞凌在600 V / 650 V电源域中补充了其广泛的基于硅，碳化硅和氮化镓的功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理和多市场部高压转换高级总监Steffen Metzger说。“这突显了我们在市场上的独特地位，它是唯一一家能够为所有三种电源技术提供如此广泛产品的制造商。此外，新的CoolSiC系列支持我们的宣称，是工业用SiC MOSFET开关的第一大供应商。”

CoolSiC MOSFET 650 V器件的额定功率为27mΩ至107mΩ。它们采用经典的TO-247 3引脚以及TO-247 4引脚封装，可降低开关损耗。对于先前发布的所有CoolSiCMOSFET产品，新的650 V器件系列均基于英飞凌最新的沟槽半导体技术。最大化SiC的强大物理特性，这确保了这些器件具有出色的可靠性，同类最佳的开关和传导损耗。此外，它们具有最高的跨导电平(增益)，4 V的阈值电压(Vth)和短路鲁棒性。因此，沟槽技术可在应用程序中实现最低的损失，并在操作中提供最高的可靠性-毫不妥协。

与市场上其他硅和碳化硅解决方案相比，650 V CoolSiC MOSFET具有诱人的优势，例如更高的开关效率和出色的可靠性。由于导通电阻(RDS(on))对温度的依赖性非常低，因此它们具有出色的热性能。该器件拥有坚固耐用的体二极管，可保持极低水平的反向恢复电荷(Qrr)，与最佳超结CoolMOS MOSFET相比，约低80%。换向稳健性例如通过使用连续传导模式图腾柱功率因数校正(PFC)有助于非常轻松地实现98%的整体系统效率。

为了简化使用650 V CoolSiC MOSFET的应用设计并确保器件的高性能运行，英飞凌提供了专用的1通道和2通道电隔离EiceDRIVER栅极驱动器IC。结合CoolSiC开关和专用栅极驱动器IC的解决方案–有助于降低系统成本以及总体拥有成本，并提高能效。CoolSiC MOSFET还可以与英飞凌EiceDRIVER栅极驱动器系列的其他IC无缝协作。

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